智能手机的运行速度快慢，除了搭载的SoC移动平台外，其内存和闪存的规格也扮演着至关重要的角色。我们常听到关于“骁龙8+LPDDR5+UFS3.1”这种“铁三角组合”的讨论。
目前，手机内存的最前沿标准是LPDDR5X-8533。联发科的天玑9000处理器已原生支持LPDDR5X-7500标准，但由于市场上还未出现商业化量产的LPDDR5X内存，市面上搭载天玑9000的手机仍采用标准的LPDDR5-6400内存。
早期的手机闪存仅支持半双工运行的eMMC，速度大约在最高400MB/s左右。随着技术的发展，UFS全双工运行闪存逐渐取代eMMC，并经历了UFS 2.0（读取速度提升到700MB/s）、UFS 2.1（900MB/s）、UFS 2.2（同样900MB/s）以及UFS 3.0（速度高达1700MB/s）和UFS 3.1（达到1900MB/s）的迭代升级。
近日，三星半导体公司宣布已成功研发出下一代UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储芯片。这款芯片尺寸为11mm x 13mm x 1mm，最大容量可达1TB，并已获得JEDEC固态存储协会的认证批准。这意味着智能手机的存储性能即将迎来显著提升。
UFS 4.0的每通道带宽速度高达23.2Gbps，是上一代UFS 3.1的两倍。三星新推出的UFS 4.0存储芯片采用第七代V-NAND闪存和自主研发的主控技术，其持续读取和写入速度分别高达4200MB/s和2800MB/s。这一速度不仅远超现有的UFS 3.1标准，而且甚至超越了一些采用特殊存储技术组合的手机，例如黑鲨5 Pro的磁盘阵列系统2.0。
值得关注的是，UFS 4.0作为通用型存储芯片，不仅速度更快，而且单位功耗也有所降低。具体来说，UFS 4.0每1mA电流可承载6MB/s的读速，较前一代提高了46%，这将为用户带来更长的电池续航时间。
三星计划于今年第三季度开始量产UFS 4.0闪存。目前市场上主流的高通骁龙8和联发科天玑9000处理器似乎最高仅支持UFS3.1标准，对于下一代闪存是否提供原生支持尚不确定。我们预计UFS 4.0闪存将成为下一代旗舰手机处理器如骁龙8 Gen2和天玑9100的标配，与LPDDR5X内存共同构成未来年度的“铁三角”。
