SK海力士正式发布消息，其全新一代基于321层堆叠技术的4D NAND闪存UFS 4.1存储方案将于2026年第一季度正式上线。这将是一次性的革新，极大地提升智能手机的存储性能。
据悉，这款新型的存储芯片仅有惊人的0.85毫米厚度，相较于之前238层堆叠芯片的1.0毫米厚度，缩小了15%，展现出了卓越的技术进步。更值得一提的是，这款芯片的最高持续读取速度高达惊人的4.3GB/s，已经超越了现有的最佳PCIe 3.0 SSD。
除了拥有卓越的性能外，这款芯片在随机读写性能方面也表现出色，相较于同类产品，其读写性能分别提升了高达惊人的15%和40%。这种优化非常适合智能手机频繁读写小文件的操作需求，这无疑是一次技术革新上的重大进步。
能效方面，SK海力士也表示其新一代存储方案在能效上提升了7%，这将有助于延长智能手机的续航时间。尽管具体的能效数据尚未透露，但这一提升无疑将为用户带来更为出色的使用体验。
值得一提的是，尽管堆叠层数得到了显著提升，但该存储方案的总体容量并未受到影响，目前依然提供512GB和1TB的存储容量选择。SK海力士的新一代存储方案无疑将为智能手机行业带来一场技术。